RQ6E055BN
Nch 30V 5.5A Power MOSFET

RQ6E055BNはゲート保護ダイオード内蔵のパワーMOSFETです。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RQ6E055BNTCR
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TSMT6
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

SOT-457T

JEITAパッケージ

SC-95

推奨セット

Switching, Motor

端子数

6

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

5.5

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.03

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.019

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.03

ゲート総電荷量 Qg [nC]

4.4

許容損失 PD [W]

1.25

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

Bare Die/Wafer 品番

Available: K4009

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

2.9x2.8 (t=1)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • ゲート保護ダイオード内蔵
  • 小型面実装パッケージ(TSMT6)で省スペース
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
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