R6030ENZ
600V 30A TO-3PF, 低ノイズ仕様 パワーMOSFET

R6030ENZは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチング用途に最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | R6030ENZC17
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-3PF
包装数量 | 300
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-3PF

パッケージサイズ[mm]

26.5x15.5 (t=5.5)

推奨セット

Power Supply

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

600

ドレイン電流 (直流) ID [A]

30.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.115

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.115

ゲート総電荷量 Qg [nC]

85.0

許容損失 PD [W]

120.0

駆動電圧 [V]

10.0

Trr (Typ.)[ns]

660

実装方式

Leaded type

Bare Die/Wafer 品番

Available: K7407

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチングスピード
  • ゲート・ソース電圧VGSS=±20V保証
  • 駆動回路が簡単
  • 並列使用が容易
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域(SOA)の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは(トランジスタ)
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

シミュレーション(ログイン必要)

  • 回路データのエクスポート方法 (ROHM Solution Simulator)

デザインモデル

  • R6030ENZ SPICE Model
  • R6030ENZ Thermal Model (lib)

特性データ

  • 静電気耐圧データ

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 内部構造図
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

環境データ

  • 構成物質一覧表
  • UL難燃性について
  • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
  • RoHS/ELV指令適合証明書

輸出関連情報

  • 輸出貿易管理令について