RCJ100N25
Nch 250V 10A Power MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RCJ100N25TL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | LPTS (D2PAK)
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-263 (D2PAK)

JEITAパッケージ

SC-83

パッケージサイズ[mm]

10.1x13.1 (t=4.5)

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

250

ドレイン電流 (直流) ID [A]

10.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.245

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.245

ゲート総電荷量 Qg [nC]

26.5

許容損失 PD [W]

40.0

駆動電圧 [V]

10.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

・10V駆動タイプ
・Nチャンネル　パワーMOSFET
・高速スイッチング
・駆動回路が簡単
・並列使用が容易
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
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デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
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  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは（トランジスタ）
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

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特性データ

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パッケージと品質データ

パッケージ情報

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