Nch 250V 0.5A Power MOSFET - RCJ100N25
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-263 (D2PAK)
JEITAパッケージ
SC-83
パッケージサイズ[mm]
10.1x13.1 (t=4.5)
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
250
ドレイン電流 (直流) ID [A]
10.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.245
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.245
ゲート総電荷量 Qg [nC]
26.5
許容損失 PD [W]
40.0
駆動電圧 [V]
10.0
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
・10V駆動タイプ・Nチャンネル パワーMOSFET
・高速スイッチング
・駆動回路が簡単
・並列使用が容易
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠