RGT50NS65D(TO-262)
短絡耐量 5µs, 650V 25A, FRD内蔵, TO-262, Field Stop Trench IGBT

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RGT50NS65DGC9
供給状況 | 購入可能
パッケージ | TO-262
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100℃) [A]

25

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

65

tsc(Min.) [us]

5

ダイオード 内蔵

FRD

Pd [W]

194

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

パッケージサイズ [mm]

10.1x9 (t=4.7)

Find Similar

特長:

  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5µs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
  • Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
X

Most Viewed