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SiC-MOSFETのボディダイオードのリカバリ時間はSi-MOSFETに比べかなり短いのは何故ですか?
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SiC-MOSFETのボディダイオードのリカバリ時間はSi-MOSFETに比べかなり短いのは何故ですか?
SiC-MOSFETのボディダイオードはpn接合でありがなら、少数キャリア寿命が短いために少数キャリアの蓄積効果がほとんどみられないために、SBDと同等の超高速リカバリ性能(数十ns)を示し、リカバリ時間はSBDと同じく順方向注入電流に依存せず一定です(dI/dtが一定の場合)。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
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