SiC-MOSFETの内部ゲート抵抗がSi-MOSFETと比べて大きいのは何故ですか？|FAQ|ROHM Semiconductor

お問い合わせ

FAQ's

SiC-MOSFETの内部ゲート抵抗がSi-MOSFETと比べて大きいのは何故ですか？
- Rgはチップサイズに反比例しますのでチップサイズの小さいSiCではRgが大きくなります。
  またゲート電極の材料としてシート抵抗の高いものを使用しています。
  ゲートドライブ回路の外付けゲート抵抗は０Ωでも問題ありませんが、ドライバの電流容量やサージ等を考慮してください。