SiC-MOSFET、SiCモジュール製品におけるゲートドライブ回路のゲート信号に許容できる推奨インダクタンス値はありますか？|FAQ|ROHM Semiconductor

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SiC-MOSFET、SiCモジュール製品におけるゲートドライブ回路のゲート信号に許容できる推奨インダクタンス値はありますか？
- 具体的な指針はご提供しておりません。
  デバイスのゲート端子からゲートドライブ回路のパスコン端子までの配線長が最も影響しています。デバイスのソース端子から基板上のグランドパターンまでの配線インダクタンスも考慮する必要があります。