SiC-MOSFET、SiCモジュール製品の駆動ゲート電圧が、推奨値（オン時＋22Ｖ～＋18Ｖ、オフ時－3V～－6V）を逸脱するとどうなりますか。|FAQ|ROHM Semiconductor

SiC-MOSFET、SiCモジュール製品の駆動ゲート電圧が、推奨値（オン時＋22Ｖ～＋18Ｖ、オフ時－3V～－6V）を逸脱するとどうなりますか。|FAQ|ROHM Semiconductor

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SiC-MOSFET、SiCモジュール製品の駆動ゲート電圧が、推奨値（オン時＋22Ｖ～＋18Ｖ、オフ時－3V～－6V）を逸脱するとどうなりますか。
- オン時の駆動ゲート電圧が15Ｖを下回ると充分にオン出来なくなり、14Ｖ以下になるとオン抵抗の温度特性が正から負となります。
  そうなると高温になればオン抵抗が下がり、熱暴走の危険性がありますので、必ず15Ｖ以上が印加されるように配慮して下さい。
  TZDBは40V以上ありますのでゲート破壊の心配はありませんが、DCで定格(-6V/+22V)を超える電圧を与え続けると、ゲート酸化膜界面に存在するトラップの影響でしきい値が徐々に変動いたします。
  瞬時のサージ電圧(300nsec以内)であれば閾値電圧変動の影響が小さいため、-10V～+26Vの範囲であれば許容可能です。