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SiC製品使用時、ゲート信号にオーバーシュートやアンダーシュートを抑える方法を教えてください。
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SiC製品使用時、ゲート信号にオーバーシュートやアンダーシュートを抑える方法を教えてください。
基板の寄生容量や寄生インダクタンス等の影響で、LC共振が考えられますので、以下の項目を確認してください。
①ゲートドライブ回路に付いている外付けゲート抵抗を大きくする。
②ゲートドライブ回路の出力容量を小さくする。
③ゲートドライブ回路の配線の寄生インダクタンスを小さくする。
抵抗が小さいとオーバシュート・アンダシュートのピーク値が大きく、かつリンギングの減衰に時間がかかります。容量が大きいとスイッチングスピードが遅くなります。インダクタンスは出来るだけ小さくして下さい。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
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