Navigation
Skip to Content
Global - English
Americas - English
Europe - English
Europe - Deutsch
ASEAN/India - English
中国-简体中文
台灣-繁體中文
한국 - 한국어
日本 - 日本語
会社案内
CSR
ニュース
投資家情報
採用情報
お問い合わせ
会員登録/ログイン
検索内容を選んでください。
サイト内検索
ローム製品
クロスリファレンス
ネット商社在庫
検索内容を選んでください。
サイト内検索
ローム製品
クロスリファレンス
ネット商社在庫
ROHM-Header
製品情報
技術サポート
アプリケーション
拠点情報
購入 / サンプル
製品情報
技術サポート
アプリケーション
拠点情報
購入 / サンプル
会社案内
CSR
ニュース
投資家情報
採用情報
お問い合わせ
Global - English
Americas - English
Europe - English
Europe - Deutsch
ASEAN/India - English
中国-简体中文
台灣-繁體中文
한국 - 한국어
日本 - 日本語
会員登録/ログイン
SiC製品使用時、ゲート信号にオーバーシュートやアンダーシュートを抑える方法を教えてください。|FAQ|ROHM Semiconductor
Rohm Newproductfaq
Home
FAQ Search
SiC製品使用時、ゲート信号にオーバーシュートやアンダーシュートを抑える方法を教えてください。
View ALL FAQ
お問い合わせ
FAQ's
SiC製品使用時、ゲート信号にオーバーシュートやアンダーシュートを抑える方法を教えてください。
基板の寄生容量や寄生インダクタンス等の影響で、LC共振が考えられますので、以下の項目を確認してください。
①ゲートドライブ回路に付いている外付けゲート抵抗を大きくする。
②ゲートドライブ回路の出力容量を小さくする。
③ゲートドライブ回路の配線の寄生インダクタンスを小さくする。
抵抗が小さいとオーバシュート・アンダシュートのピーク値が大きく、かつリンギングの減衰に時間がかかります。容量が大きいとスイッチングスピードが遅くなります。インダクタンスは出来るだけ小さくして下さい。
Products:
SiC Power Devices
,
SiC MOSFET
,
SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
Topへ戻る
Please Wait...