SiC製品使用時、ゲート信号にオーバーシュートやアンダーシュートを抑える方法を教えてください。|FAQ|ROHM Semiconductor - japan - Rohm.com

SiC製品使用時、ゲート信号にオーバーシュートやアンダーシュートを抑える方法を教えてください。|FAQ|ROHM Semiconductor - japan

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SiC製品使用時、ゲート信号にオーバーシュートやアンダーシュートを抑える方法を教えてください。
- 基板の寄生容量や寄生インダクタンス等の影響で、LC共振が考えられますので、以下の項目を確認してください。
  ①ゲートドライブ回路に付いている外付けゲート抵抗を大きくする。
  ②ゲートドライブ回路の出力容量を小さくする。
  ③ゲートドライブ回路の配線の寄生インダクタンスを小さくする。
  抵抗が小さいとオーバシュート・アンダシュートのピーク値が大きく、かつリンギングの減衰に時間がかかります。容量が大きいとスイッチングスピードが遅くなります。インダクタンスは出来るだけ小さくして下さい。