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SiC製品にて、ディスクリート品とモジュール品でドレイン－ソース定格電流が違うのは何故ですか？
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SiC製品にて、ディスクリート品とモジュール品でドレイン－ソース定格電流が違うのは何故ですか？
使用温度条件が違うためです。
モジュール：ジャンクション温度（Tj)150℃,ケース温度(Tc)60℃
MOSFET：ジャンクション温度（Tj)175℃,ケース温度(Tc)25℃
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
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