Part Number Search

FAQ Category 

FAQ's
Show All Answers
Hide All Answers
showing 1 to 10 of 30
  • SiC-MOSFET直列接続時の注意点は何ですか?
    • ・上側デバイスの対地絶縁がデバイスの絶縁耐電圧しか保証できません。
      ・直列数のゲート電圧用フローティング電源が必要です。
      ・直列接続時には、オン抵抗の温度係数は正となるため、熱暴走防止のため、製品ばらつきを考慮して充分な電流ディレーティングを考慮下さい。
      ・直列により高耐圧のシングルスイッチとして使用する場合には並列に高抵抗を挿入するなどして適切に分圧できるような対策を推奨します。
      ・スイッチングのタイミングを合わせないと耐圧破壊します。
    • Products: Silicon-carbide (SiC) Power Devices , SiC MOSFETs , SiC MOSFET Bare Die
  • SiC-MOSFET、SiCモジュール製品の駆動ゲート電圧は、マイナスバイアスは必要ですか?
    • FET OFF状態で、ドレイン電位が上昇する際、ゲート-ドレイン間容量のACカップリング現象により、ゲート電位が持ち上がる可能性があります。代表的なアプリケーションとしては、直列接続したブリッジ駆動です。
      誤オンによる短絡破壊を防ぐために、マイナスバイアスをお使いいただくことを推奨します。
      ゲート・ソース間に容量を追加いただくことでもゲート電位の持ち上がりを抑えることができます。
      また、ミラークランプMOSFETをゲート-ソース間に接続し、確実に短絡するすることで、ゲート電位の持ち上がりを防止できます。
      なお、ミラークランプMOSFETの駆動にはノイズによる誤動作にご注意ください。
    • Products: Silicon-carbide (SiC) Power Devices , SiC MOSFETs , SiC Power Module , SiC MOSFET Bare Die
showing 1 to 10 of 30
of 3