Part Number Search

FAQ Category 

FAQ's
Show All Answers
Hide All Answers
showing 1 to 4 of 4
  • MicrowireのEEPROMについて、
    CSを立ち下げて書き込みが実施される、SKとCS間の時間規定を教えて下さい。
    • 書き込みが実施されるためのCS立ち下げタイミングとして、「DIの最終データ"D0"を取り込むSKの立ち上がり/立ち下がり」と「続く次のSK立ち上り」の間に有効区間を規定しています。
      BR93H-2C/BR93Lシリーズでは、
      「"D0"を取り込むSK立ち上がりのtSKH以後」~ 「次のSK立ち上がりのtCSS以前」の間にCSが立ち下がると書き込みが開始されます。
      BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93A-WMシリーズでは、
      「"D0"を取り込むSK立ち下がりのtCSH以後」~ 「次のSK立ち上がりのtCSS以前」の間にCSが立ち下がると書き込みが開始されます。
      (tSKH: SK"H"時間、tCSS:CSセットアップ時間、tCSH:CSホールド時間)
  • EEPROMについて、
    概要を教えて下さい。
    • Electrically Erasable Programable ROM (電気的に消去可能な不揮発性メモリ)の略です。基板上でアドレスごとのデータ書き換えが可能です。ロームのEEPROMは業界最高水準の書き換え回数、データ保持年数、書き換え時間を備え、高い信頼性を確保しています。
    • Products: Serial EEPROM
  • MSL とは?
    • Moisture Sensitivity Level の略で、半導体などのパッケージ封止樹脂の空気中水分の吸湿により、リフロー時などに水分気化による体積膨張からの破損に至る現象を防ぐことを目的として制定されているJEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)の規格です。
      防湿包装開封後のICパッケージのフロワーライフは、下記のMSL Levelに区分されています。
showing 1 to 4 of 4
of 1