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FAQ Category
Datasheetの条件等の表記について
製品の種類/特長/相違点について
製品の置換えについて
未使用回路/端子、NC端子処理について
裏面(パッド、FIN、タブ)の接続について
プルアップ、プルダウンについて
動作電源電圧(範囲/変動)について
電源(VDD/VCC/VIN)立上げ時間、動作時について
電源が未印加/OFF/0V時について
電源電圧以上の端子電圧印加について
入力電圧(VIH/VIL)について
入力(立上り/立下り)時間について
入力/出力インピーダンスについて
出力(立上り/立下り/伝達)時間について
出力回路構成について
ヒステリシス(電圧/回路)について
書き換え回数/データ保持特性について
書き込み(開始/実行中/時間/BUSY状態)について
書き込み(ページ/全アドレス)について
書き込み(許可/禁止/プロテクト)について
データ読み出しについて
メモリ領域/容量/bitについて
ステータスレジスタについて
コマンド/オペコードについて
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クロックについて
タイミング(チャート/規定)について
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減電検出(UVLO/LVCC)について
動作周波数、周波数特性(f特)について
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EEPROMについて、
Datasheet中の規格値で、Min/MaxのみでTypの記載がない項目の実力値を教えて下さい。
各特性の実力を確認するには、Datasheet記載の特性グラフをご参照下さい。
FAQ ID: 1820
EEPROMについて、
特性データのグラフで「SPEC」と書かれた線や点の意味を教えて下さい。
電気的特性に記載された保証範囲や規格値を示します。電気的特性表の記載内容をご参照下さい。
FAQ ID: 2264
EEPROMについて、
メモリ素子の偶発故障やノイズ等に対する、データ保護機能について独自の機能があれば教えて下さい。
メモリの偶発故障に対しては、WCELL構造またはECC(エラー訂正)機能を採用しており、ノイズや電源立ち上げ時の誤書き込みに対してはダブルリセット回路を採用し、書き込みデータの信頼性向上を行っています。WCELLは1bitのデータを2つのメモリで保持しているため、一方が壊れても正常なデータを維持できる構造です。ECCはパリティメモリを内蔵し1bitの不良があっても内部で正しい値になるように論理演算して出力する仕組みです。ダブルリセット回路は、電源立ち上がり時間検出とレベル検出の2つのリセット回路により電源を監視し、意図しない電源の立ち上がりに対しても誤書き込みを防止します。
FAQ ID: 7
EEPROMについて、
Datasheetの特長に「自動消去/終了機能」と記載の製品について概要を教えて下さい。
ライトコマンドを実行すると以下のようなシーケンスでデータ書き込みが進みます。
① 選択したアドレスの全データをデータ”1”にする。
② 選択したアドレスのデータ”0”の書き込みを指定したデータをデータ”0”にする。
③ 終了。
自動消去とは、①を指します。①から③は、EEPROMの内部で発生したクロックで進みます。外部からクロックを入力する必要がありません。そのため、③を自動終了と呼んでいます。
FAQ ID: 2230
SPIのEEPROMについて、
用途や特長について教えて下さい。
SPIバスは5~20Mbit/sの高速通信が可能で、EEPROM容量も1Mbitといった大容量までラインアップしています。マイコンとのインターフェースの本数は4本で、I2Cより多くなります。高速通信に向いており、車載、無線などを中心に幅広い分野で使用されています。
FAQ ID: 2277
SPIのEEPROMについて、
BR25H-2Cシリーズの、BR25H-WCシリーズに対する相違点、改善点、置き換え方法について教えて下さい。
BR25H-2Cシリーズは、BR25H-WCシリーズに対して、データ保持特性や動作速度などが改善され上位互換、同一機能で、置き換えが可能ですが、実際のアプリケーションにて十分ご確認をお願いします。比較資料をご参照下さい。
関連リンク:
技術資料
FAQ ID: 1800
SPIのEEPROMについて、
BR25H-2Cシリーズの、BR35H-WCシリーズに対する相違点、改善点、置き換え方法について教えて下さい。
BR35H-WCシリーズからBR25H-2Cシリーズへの追加機能は以下3点になります。
機能端子の追加
NC端子をホールド(HOLDB)端子、ライトプロテクト(WPB)端子に変更
ステータスレジスタに、WPEN、BP1、BP0(3bit)を追加
WPEN (ライトプロテクトイネーブル): WPB端子の有効/無効設定(8Kbit以上の製品のみ)
BP1、BP0 (ブロックプロテクト): 書き込み禁止範囲設定
ライトステータスレジスタコマンドの追加
ステータスレジスタに追加された3bitはEEPROMのセルを使用しており、コマンドで書き込みが可能です。 HOLDB、WPB端子未使用の場合は、VCCにプルアップ処理(抵抗は不要)して下さい。 特性としては、データ保持特性、書き換え回数、書き込み時間が改善されており上位互換のため、そのまま置き換えが可能です。比較資料をご参照下さい。
関連リンク:
技術資料
FAQ ID: 1781
SPIのEEPROMについて、
CSB端子を常に"L"固定(GND)、または未接続で使用した場合の懸念事項はありますか?
CSBが"L"の状態ではEEPROMは正常に通信できないため使用できません。ライトプロテクトモードの有無にかかわらず、必要なとき以外はCSBを"H"にして下さい。また、CSB端子を未接続にした場合はハイインピーダンスになるため使用できません。
対象製品:BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3Mシリーズ
FAQ ID: 2237
EEPROMについて、
VSON008X2030パッケージ品(パッケージ記号:NUX)の裏面パッド(放熱パッド)の接続先、および許容損失測定時の接続状態を教えて下さい。
裏面パッドはオープンもしくはGNDへ接続して下さい。裏面パッドとICチップが接続されているため、信号ラインに接続することは誤動作やノイズの影響をうける可能性があります。許容損失は裏面パッドがオープンの状態で測定しています。
FAQ ID: 2246
SPIのEEPROMについて、
WPB端子やHOLDB端子をプルアップ/プルダウンする際に、抵抗を挿入する必要はありますか?
WPB端子、HOLDB端子とも、抵抗を挿入せず直接VCC/GNDにショートしても問題ありません。
対象製品:BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3Mシリーズ
FAQ ID: 2271
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