RBLQ20NB10S (開発中)
トレンチMOSバリア構造, 100V 20A, TO-263AB, 高効率パワーSBD

RBLQ20NB10Sは低VFと低IRのトレードオフ改善を突き詰めた高効率なショットキーバリアダイオードです。低VFでありながら高温動作時の安定動作を実現しています。スイッチング電源やフリーホイールダイオード、逆接続保護の用途に最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RBLQ20NB10STL
供給状況 | 開発中
パッケージ | LPDL
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

Configuration

Single

パッケージコード

TO-263AB

パッケージ寸法 [mm]

15.1x10.1(t=4.7)

実装方法

Leaded type

端子数

3

尖頭逆方向電圧 VRM [V]

100

直流逆方向電圧 VR [V]

100

平均整流電流 IO[A]

20.0

尖頭順サージ電流 IFSMシングル[A]

200.0

順方向電圧 VF(Max.) [V]

0.86

IF @順方向電圧 VF[A]

20.0

逆方向電流 IR(Max.) [mA]

0.08

VR @逆方向電流 IR [V]

100

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-55

保存温度範囲 (Max.) [℃]

150

特長:

  • 高信頼性
  • パワーモールド
  • 低VF / 低IR
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デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

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