トレンチMOSバリア構造, 100V 20A, TO-263AB, 高効率パワーSBD - RBLQ20NB10S (開発中)
RBLQ20NB10Sは低VFと低IRのトレードオフ改善を突き詰めた高効率なショットキーバリアダイオードです。低VFでありながら高温動作時の安定動作を実現しています。スイッチング電源やフリーホイールダイオード、逆接続保護の用途に最適です。
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特性:
グレード
Standard
Configuration
Single
パッケージコード
TO-263AB
パッケージ寸法 [mm]
15.1x10.1(t=4.7)
実装方法
Leaded type
端子数
3
尖頭逆方向電圧 VRM [V]
100
直流逆方向電圧 VR [V]
100
平均整流電流 IO[A]
20.0
尖頭順サージ電流 IFSMシングル[A]
200.0
順方向電圧 VF(Max.) [V]
0.86
IF @順方向電圧 VF[A]
20.0
逆方向電流 IR(Max.) [mA]
0.08
VR @逆方向電流 IR [V]
100
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-55
保存温度範囲 (Max.) [℃]
150
特長:
- 高信頼性
- パワーモールド
- 低VF / 低IR