2016年4月26日
※2016年4月26日現在ローム調べ
ローム株式会社(本社:京都市)は、サーバーやハイエンドパソコンなどの電源PFC回路※1に最適な、第3世代SiC（シリコンカーバイド：炭素ケイ素）ショットキーバリアダイオード(以下、SiC-SBD) 「SCS3シリーズ」を開発しました。
本製品は、新規構造の採用により、既に量産化されている第2世代SiC-SBDで実現した業界最小の順方向電圧※2(VF=1.35V、25℃)の特性を維持したまま、同時に高サージ電流耐量を確保しました。これによりサーバーやハイエンドパソコンなどの電源PFC回路にも対応が可能になり、アプリケーションの高効率化に貢献します。
なお、本製品は2016年3月よりサンプル出荷を開始し、4月から順次量産を開始しています。生産拠点は前工程がローム･アポロ株式会社（福岡県）、後工程がROHM Korea Corporation（韓国）となります。
今後もロームはSiCデバイス製品のラインアップ拡大により、パワーエレクトロニクス機器の省エネ化に貢献していきます。
近年、太陽光発電システムや産業用各種電源装置、電気自動車、家電などのパワーエレクトロニクス分野では、電力変換効率の向上による省エネ化を実現するため、更なる高効率パワーデバイスが望まれています。SiCデバイスは、従来のSiデバイスと比較し、材料物性に優れており、これらのアプリケーションで採用が進んでいます。特にサーバーなどの電源効率の向上が求められるような機器の電源においては、SiC-SBD製品の高速リカバリ特性が有効であり、PFC回路に用いられることで機器効率の向上が図られてきました。これらの用途においては、サージ電流※3耐量が重要なパラメータとなります。ロームのSiC-SBD製品は、これまで第1世代、第2世代とお客様に好評をいただいておりましたが、さらなる用途拡大のため、新規デバイス構造の採用し、業界最高レベルの低VF特性を維持しつつ、高サージ電流耐量を実現した製品の開発に成功しました。
今回開発した第3世代SiC-SBD「SCS3シリーズ」は、高サージ電流耐量を実現するため、JBS（Junction Barrier schottky）構造を採用しました。従来から、サージ電流耐量の向上と、リーク特性の改善に効果がある構造ですが、ロームの最新第3世代は、従来の特長に加え、第2世代SiC-SBDにて実現した低VF特性を更に改善し、より高性能な製品として展開を図ります。
ロームは第2世代のSiC-SBDにおいて、プロセスと製品構造の改善により、業界最小の順方向電圧を実現。高温条件下において、本製品は第2世代製品と比較し更なる低VF化を実現し、導通損失の低減により高効率化に貢献します。
一般的に順方向電圧を低減すると逆方向のリーク電流が増加してしまいますが、ロームの最新第3世代SiC-SBDでJBS構造の採用により、リーク電流を低く、かつ順方向電圧の低減に成功。第2世代SiC-SBDと比較し、本製品は定格電圧で約1/20(650V、Tj=150℃時)にリーク電流を低減しています。
※1. E=1,-03=1/103
TO-220ACP
TO-263AB D2pak (LTPL)
☆：開発中
パソコン、サーバー、エアコンなどのハイエンド電源機器内のPFC回路
低VF＆高サージ電流耐量 SiC-SBD登場！第3世代 SiC-ショットキーバリアダイオード SCS3xxAシリーズ
第3世代SiC-ショットキーバリアダイオード SCS3xxAシリーズ (PDF：601KB)
業界最小※の低VFと高サージ電流耐量を実現した
SiCショットキーバリアダイオード「SCS3シリーズ」を開発
各種電源装置のPFC回路に最適で、動作時の効率を大幅に改善
2016年4月26日
※2016年4月26日現在ローム調べ
＜要旨＞
ローム株式会社(本社:京都市)は、サーバーやハイエンドパソコンなどの電源PFC回路※1に最適な、第3世代SiC（シリコンカーバイド：炭素ケイ素）ショットキーバリアダイオード(以下、SiC-SBD) 「SCS3シリーズ」を開発しました。
本製品は、新規構造の採用により、既に量産化されている第2世代SiC-SBDで実現した業界最小の順方向電圧※2(VF=1.35V、25℃)の特性を維持したまま、同時に高サージ電流耐量を確保しました。これによりサーバーやハイエンドパソコンなどの電源PFC回路にも対応が可能になり、アプリケーションの高効率化に貢献します。
なお、本製品は2016年3月よりサンプル出荷を開始し、4月から順次量産を開始しています。生産拠点は前工程がローム･アポロ株式会社（福岡県）、後工程がROHM Korea Corporation（韓国）となります。
今後もロームはSiCデバイス製品のラインアップ拡大により、パワーエレクトロニクス機器の省エネ化に貢献していきます。
＜背景＞
近年、太陽光発電システムや産業用各種電源装置、電気自動車、家電などのパワーエレクトロニクス分野では、電力変換効率の向上による省エネ化を実現するため、更なる高効率パワーデバイスが望まれています。SiCデバイスは、従来のSiデバイスと比較し、材料物性に優れており、これらのアプリケーションで採用が進んでいます。特にサーバーなどの電源効率の向上が求められるような機器の電源においては、SiC-SBD製品の高速リカバリ特性が有効であり、PFC回路に用いられることで機器効率の向上が図られてきました。これらの用途においては、サージ電流※3耐量が重要なパラメータとなります。ロームのSiC-SBD製品は、これまで第1世代、第2世代とお客様に好評をいただいておりましたが、さらなる用途拡大のため、新規デバイス構造の採用し、業界最高レベルの低VF特性を維持しつつ、高サージ電流耐量を実現した製品の開発に成功しました。
＜特長＞
1. 低VF特性を維持しつつ、高サージ電流耐量を実現
第3世代
SiC-SBD
第2世代
SiC-SBD
10msec, sin wave
TO-220AC package
Typ.
Typ.
今回開発した第3世代SiC-SBD「SCS3シリーズ」は、高サージ電流耐量を実現するため、JBS（Junction Barrier schottky）構造を採用しました。従来から、サージ電流耐量の向上と、リーク特性の改善に効果がある構造ですが、ロームの最新第3世代は、従来の特長に加え、第2世代SiC-SBDにて実現した低VF特性を更に改善し、より高性能な製品として展開を図ります。
2. 業界最小の順方向電圧（VF=1.35V/25℃、1.44V/150℃）を実現
ロームは第2世代のSiC-SBDにおいて、プロセスと製品構造の改善により、業界最小の順方向電圧を実現。高温条件下において、本製品は第2世代製品と比較し更なる低VF化を実現し、導通損失の低減により高効率化に貢献します。
3. 低リーク電流特性
一般的に順方向電圧を低減すると逆方向のリーク電流が増加してしまいますが、ロームの最新第3世代SiC-SBDでJBS構造の採用により、リーク電流を低く、かつ順方向電圧の低減に成功。第2世代SiC-SBDと比較し、本製品は定格電圧で約1/20(650V、Tj=150℃時)にリーク電流を低減しています。
※1. E=1,-03=1/103
＜ラインナップ＞
TO-220ACP
TO-263AB
D2pak (LTPL)
☆：開発中
＜アプリケーション＞
パソコン、サーバー、エアコンなどのハイエンド電源機器内のPFC回路
＜用語説明＞
＜関連情報＞
■ サポートページ
■ 製品情報
低VF＆高サージ電流耐量 SiC-SBD登場！第3世代 SiC-ショットキーバリアダイオード SCS3xxAシリーズ
■ 新商品速報
第3世代SiC-ショットキーバリアダイオード SCS3xxAシリーズ
(PDF：601KB)
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