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1200V/180AフルSiCパワーモジュール「BSM180D12P3C007」の製品情報を公開

WPC Qi(チー)規格 ミディアムパワー向けワイヤレス給電用チップセット

製品概要 |  特長1 |  特長2 |  仕様 |  関連情報

製品概要

BSM180D12P3C007のパッケージ

Siの限界を超えるデバイスとして注目のSiCデバイス。より高性能化の実現を常に求められています。
ロームではトレンチ構造を採用したSiC-MOSFETの量産化に成功、既に量産中のプレーナ型SiC-MOSFETに比べ、オン抵抗を約50%低減、入力容量を約35%低減しました。このデバイスを用い、1200V180AフルSiCパワーモジュールを製品化しました。

特長1

一般的なシングルトレンチ構造と、ロームのダブルトレンチ構造

・ダブルトレンチ構造採用で長期信頼性
   確保!

オン抵抗低減に有効であると注目のトレンチ構造のSiC-MOSFET。しかしながら製品化には、長期信頼性を確保するために、ゲートトレンチ部に発生する電解集中を緩和する対応の確立が必要でした。ロームは独自のダブルトレンチ構造を採用したことで、電解集中を緩和し、いちはやく SiC Trench MOSFETの量産化に成功しました。

特長2

・低オン抵抗デバイスを実現!

従来のプレーナー型SiC-MOSFETに比べて同一チップサイズにおいて、オン抵抗を約50%低減。 スイッチング性能の向上(入力容量、約35%減)も実現しており、 さらなる機器の高効率化に貢献が可能なデバイスとなっています。

オン抵抗 vs 入力容量特性
スイッチング損失比較

仕様

・SiCトレンチMOSモジュール仕様

品名 絶対最大定格 RDS(ON)
(mΩ)
パッケージ
VDSS
(V)
VGS
(V)
ID(A)
(Ta=60℃)
Tj(℃) Tstg
(℃)
Visol(V)
(AC 1min.)
BSM180D12P3C007 1200 -4~22 180 -40 to +175 -40 to +125 2500 10 C type
Qiとは / PMAとは

関連情報

SiC Trench MOSFET搭載 1200V/180AフルSiCパワーモジュール以外にも独自の技術を活かしてお客様のニーズに沿った製品開発を進めるとともに、さらなる製品シリーズの拡充に努めてまいります。

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