メモリセルの信頼性を高める独自のダブルセル構造と、データの誤書き込みをダブルで防止するダブルリセット方式を採用。

-40oC～＋12oCの高信頼性動作温度を実現。 ±1%の高精度検出でノイズに強く、安定動作を提供できます。

新規低電圧プロセスの採用により、超低電圧0.9V駆動を実現した MOSFETです。消費電力の大幅削減に貢献します。

特殊合金の採用により6432(2515)サイズ(PMR100)で定格電力2Wを 保証し、大電流の検出に最適。また、トリミングレス構造により低インダクタンスと、電流検出精度を向上しました。

MOSFET内蔵で昇降圧対応タイプと、広い入力範囲対応が可能な、 大電流FET外付けタイプをラインアップ。

低オン抵抗のMOSFETスイッチと、各種保護回路をワンチップに内蔵 しています。ロスの少ない効率の良い電力供給と、より安全で安定した システム設計がコンパクトに実現できます。

素子の微細化により、電流効率のアップと低VF化を実現。セットの 高効率化、小型化に貢献します。