SiC 파워 디바이스
실리콘 카바이드 (SiC / Silicon Carbide / 탄화 규소) 디바이스는, 실리콘 (Si) 디바이스에 비해 ON 저항이 낮고, 고온 · 고주파 · 고전압 환경에서의 성능이 우수하여, 차세대 저손실 반도체로서 주목받고 있습니다. SiC 디바이스의 우수한 성능을 통해 사용 부품수를 저감할 수 있으며, 설계가 용이해집니다.
SiC 디바이스는 저 ON 저항 특성으로, 기기의 에너지 소비량의 대폭적인 삭감에 기여합니다. 이에 따라, CO2 배출량을 억제하여, 친환경 제품 및 시스템을 설계할 수 있습니다.
로옴은 고효율로 절전 효과가 높은 SiC 파워 디바이스 및 모듈을 개발하여 다양한 업계의 폭넓은 용도에 대응하고 있습니다.
SiC Power Devices Brochure제4세대 SiC MOSFET
로옴이 양산을 시작한 제4세대 SiC MOSFET 는, 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 저 ON 저항을 실현한 디바이스입니다.현재 베어 칩과 디스크리트 패키지로 제품을 전개하고 있습니다.
SiC 기술의 응용
로옴 디바이스의 채용 사례 및 고객과의 협업 안건에 대해 게재하고 있습니다.
We confirmed its usefulness and benefit when using the 4th generation SiC MOSFET through an experimental test using a step-down DC-DC converter a simulated running test using an EV traction inverter, and an experimental test using a Totem-pole PFC circuit were conducted.
라인업
SiC 관련 제품
로옴은 SiC 디바이스의 구동에 최적인 게이트 드라이버 IC를 개발하고 있습니다. SiC 디바이스와 조합하여 사용함으로써, SiC의 특성을 최대한으로 발휘시킬 수 있습니다. 또한, SiC MOSFET 를 내장한 AC/DC 컨버터 제어 IC 등, SiC 제품을 내장한 IC의 개발도 전개하고 있습니다.
