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300A駆動SiCトレンチMOSFET

特長  |  用途

今後ますます普及していくと考えられる「ハイブリッド車」や「電気自動車」。これらの車を支える高出力・高効率のインバータ用に大電流トレンチMOSFETの研究を進めています。素子構造は単位面積当たり高い電流密度を実現できるトレンチ構造を採用し、単一チップで300Aを駆動できる素子を目指しています。

特長

  • 単チップで300A駆動するSiCトレンチMOSFET
  • 低オン抵抗によりインバータのパワー密度向上を実現
  • 高速スイッチング
  • 寄生ダイオード通電による素子劣化を解消
  • 寄生ダイオード通電による素子劣化を解消
  • Qg、寄生容量が小さい
SiCトレンチMOSFET外観

用途

  • 高温動作可能、低電力損失な電力変換デバイス
  • ハイブリット車、電気自動車、産業機器等の各種インバータ
用途