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SiC SBD

高耐圧・大電流回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたショットキーバリアダイオードを開発しました。高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減で、機器の動作周波数を向上させます。

エレクトロニクス豆知識
SiC SBDの特長

特長

  • リカバリー時間が短い
  • 高速スイッチングが可能
  • 特性の温度依存性が少ない
  • 低VF (第2世代SBD)
  • 車載対応製品(AEC-AQ101準拠)
主要定格
定格電圧 定格電流
650V 6A~100A*
1200V 5A~50A
1700V* 10A~50A

*開発中

SiC SBDパッケージ外観

SiC SBD
製品ページ

スイッチング損失を大幅に低減

Siでは実現できなかった極小の逆回復時間(trr)により、高速スイッチングが可能になります。
逆回復電荷量(Qrr)が小さいため、スイッチング損失を低減でき、機器の小型化に貢献します。

スイッチング波形

また、Siファストリカバリダイオードのtrrは温度上昇に従って増大するのに対し、SiCではほぼ一定の特性を維持することができます。
高温動作時もスイッチング損失が損なうことなく、駆動させることが可能です。

trr温度特性

安定した温度特性を実現

SBD順方向特性

温度に対する特性の変動がSiに比べ小さいため、安定した特性で使用できます。
また、Siのファストリカバリーダイオードとは逆で、順方向電圧が正の温度係数であるため、素子の並列接続が容易になります。
並列接続時の熱暴走の防止に貢献します。

さらに、第二世代SBDではプロセスを工夫することにより、リーク電流やリカバリ性能を従来品と同等に保ちながら立ち上がり電圧を約0.15V低減することに成功しています。

用途

  • スイッチング電源
  • PFC(Power Factor Correction)回路
  • Power conditioners used in photovoltaic power generation
  • EV/HEVのインバーターやチャージャ
  • モータ駆動回路

■ [例] PFC 回路
PFC 回路

■ [例]車載用充電回路
車載用充電回路

高品質・安定供給を約束する垂直統合生産体制

「品質を第一とする」を企業目的に掲げるロームでは、 SiC 生産においても垂直統合生産体制を確立しています。 2009 年にはドイツのSiCrystal 社をグループ企業に加え、 ウエハからパッケージの製造まで全てのプロセスで品質を高める活動を行っています。 世界に通用する製造技術力、安定した生産力に加え、コスト競争力を高め、 さらなる新製品の長期安定供給につとめていきます。

SiCrystal AG

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