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フルSiCパワーモジュール

エレクトロニクス豆知識
SiCパワーモジュールの特長

概要

SiC-MOSFETとSiC-SBDを使用した "フルSiC"パワーモジュールを量産開始!
ローム独自の電界緩和構造や、スクリーニング法を開発することでデバイスの信頼性を確保し、世界初の"フルSiC"パワーモジュールの量産体制を確立しました。
SiC-SBD・SiC-MOSFETを搭載し、従来のSi-IGBTに比べると100kHz以上の高周波動作を実現できます。
高速スイッチングと低損失化により、定格電流200~400AのSi-IGBTとの置き換えが可能です。

フルSiCパワーモジュール外観

特長 スイッチング損失を80%以上低減

フルSiCパワーモジュールはSiCの高速性能を最大限に引き出します。
Si-IGBTと比較してスイッチング損失を大幅に低減できます。

特長

  • 高速スイッチング
  • 低スイッチングロス
  • 高速リカバリ
  • 低インダクタンス設計

高速スイッチング動作時においても低損失を実現 高速スイッチング動作時においても低損失を実現

内部回路図

Circuit diagram

ラインアップ

絶対最大定格 MAXIMUM RATEING (Tj=25°C)

品名 絶対最大定格(Ta=25°C) RDS
(ON)
(mΩ)
パッケージ サーミスタ 内部回路図
VDS
(V)
ID
(A)
(Tc=
60°C)
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
Visol
(V)
(AC
1min.)
NEW
BSM080D12P2C008
(2G. DMOS)
1200 80 -40 to
+175
-40 to
+125
2500 34 C
type
- Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM120D12P2C005
(2G. DMOS)
120 -40 to
+150
20 Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
NEW
BSM180D12P3C007
(3G.UMOS -Trench Gate)
180 -40 to
+175
10 Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
NEW
BSM300D12P2E001
(2G. DMOS)
300 -40 to
+175
7.3 E
type
Internal Circuit Diagram(BSM300D12P2E001)

■External Dimensions
External Dimensions

評価ボード

フルSiCパワーモジュールを評価できるゲートドライブ評価ボードを準備しています。
特長:

  • ミラークランプ機能内蔵
  • 0V⇔+18V、-3V⇔+18Vゲート駆動を選択可能
    (負バイアス使用時は部品の取り外し、取付作業が必要です。)
P/N BW9499H
-EVK-01
BW9499H
-EVK-02
BW9499H
-EVK-03
BP59A8H
-EVK-01
BP59A8H
-EVK-02
SiC Module BSM180D12P3C007 BSM080D12P2C008
BSM120D12P2C005
BSM300D12P2E001
PKG PKG
Appearance Board Board
Gate Drive IC BM6101FV-C
RG ON 6.8Ω 2.2Ω 0.01Ω
RG OFF 8.2Ω 3.9Ω 0.2Ω
CGS - 5.6nF 5.6nF
Gate Turn Off Minus Zero Minus Zero Minus
Recommended VGS +18V / -2V +18V / 0V +18V / -3V +18V / 0V +18V / -3V

詳しい情報が必要な場合、お問い合わせください。

アプリケーション

  • 高電圧モータドライブ
  • 産業機器向けインバータ/コンバータ、E-モビリティ(EV、HEV、電車、電動自転車、その他)
  • 太陽光/風力発電、電源ユニット、誘導加熱装置
など
Applications

今後の展開
高耐圧に対応するモジュールやトレンチ構造を採用したSiCデバイスを使い、さらなる大電流定格を実現した製品を開発し、ラインアップ強化を進めてまいります。

フルSiCモジュール

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