ROHM SiC Power Modules

概要

フルSiCパワーモジュール外観

SiC-MOSFETとSiC-SBDを使用した "フルSiC"パワーモジュールを量産開始!
ローム独自の電界緩和構造や、スクリーニング法を開発することでデバイスの信頼性を確保し、世界初の"フルSiC"パワーモジュールの量産体制を確立しました。
SiC-SBD・SiC-MOSFETを搭載し、従来のSi-IGBTに比べると100kHz以上の高周波動作を実現できます。

特長 スイッチング損失を80%以上低減

フルSiCパワーモジュールはSiCの高速性能を最大限に引き出します。
Si-IGBTと比較してスイッチング損失を大幅に低減できます。

特長

  • 高速スイッチング
  • 低スイッチングロス
  • 高速リカバリ
  • 低インダクタンス設計
高速スイッチング動作時においても低損失を実現
高速スイッチング動作時においても低損失を実現

内部回路図

circuit diagram

ラインアップ

品名 絶対最大定格 イン
ダク
タンス
(nH)
パッケージ サー
ミスタ
内部回路図
VDSS
(A)
VGS
(V)
ID (V)
[Tc=
60°C]
Tj max
(°C)
Tstg
(°C)
Visol
(V)
[AC
1min.]
BSM080D12P2C008 1200 -6
~22
80 175 -40
~
125
2500 25 C type
45.6
×
122
×
17mm
- 内部回路図
BSM120D12P2C005 120
BSM180D12P3C007 -4
~22
180
BSM180D12P2E002 -6
~22
180 13 E Type
62
×
152
×
17mm
内部回路図
BSM300D12P2E001 300
BSM400D12P3G002 -4
~22
400 10 G Type
62
×
152
×
17mm
BSM600D12P3G001 600

■External Dimensions

External Dimensions

評価ボード

フルSiCパワーモジュールを評価できるゲートドライブ評価ボードを準備しています。

特長:

  • ミラークランプ機能内蔵
  • 0V⇔+18V、-3V⇔+18Vゲート駆動を選択可能
    (負バイアス使用時は部品の取り外し、取付作業が必要です。)
P/N BW9499H-EVK-01 BW9499H-EVK-02 BW9499H-EVK-03 BP59A8H-EVK-01 BP59A8H-EVK-02 BP59A8H-EVK-03 BP59A8H-EVK-04
SiC
Module
BSM180D12P3C007 BSM080D12P2C008
BSM120D12P2C005
BSM300D12P2E001 BSM600D12
P3G001
BSM400D12
P3G002
Appea
rance
Gate Drive IC BM6101FV-C
RG ON 6.8Ω 2.2Ω 0.01Ω 1.8Ω 2.2Ω
RG OFF 8.2Ω 3.9Ω 0.2Ω 1.8Ω 2.2Ω
CGS - 5.6nF 5.6nF - -
Gate Turn Off Minus Zero Minus Zero Minus Minus Minus
Recom
mended VGS
+18V / -2V +18V / 0V +18V / -3V +18V / 0V +18V / -3V +18V / -2V +18V / -2V

アプリケーション例

  • 高電圧モータドライブ
  • 産業機器向けインバータ/コンバータ、EVステーション
  • 太陽光/風力発電、電源ユニット、誘導加熱装置
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