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SiC MOSFET

SiC(シリコンカーバイド)は、現在の主流であるSi(シリコン)製のパワー半導体素子と比べ、スイッチング損失が小さく、高温領域においても優れた電気的特性をしています。

エレクトロニクス豆知識
SiC-MOSFETの特長

特長

  • 電力損失を大幅削減、スイッチング損失73%減
    (Si-IGBTと比較、30kHz駆動時)
  • システムの小型化に貢献
  • 寄生ダイオードの逆回復動作が極めて小さい
定格電圧 オン抵抗
650V 120mΩ
1200V 45mΩ~450mΩ
1700V 100mΩ~1150mΩ
TO-247 TO-220AB TO3PFMのパッケージ図Si-IGBTとSiC-MOSFETのロス比較の結果、SiC-MOSFETが73%も削減できていることを表したグラフ ターンオフ特性とオン抵抗の温度特性表 内部ダイオードのリカバリ特性

次世代 第3世代 SiC-MOSFETの特長

第2世代 SiC-MOSFETと比較し、

  • オン抵抗 50%低減
  • 入力容量 (Ciss) 35%低減

(同一チップサイズ比較)

ラインナップ予定

定格電圧 オン抵抗
650V 30mΩ
1200V 22mΩ*~40mΩ

*開発中

SiC-MOSFET プレーナ構造とトレンチ構造の性能比較

使用回路例

応用例

定格電圧 600V、特に1000V以上の応用分野での使用が考えられます。

  • 産業機器
  • エアコンインバータ
  • 太陽光発電用インバータ
  • 電気自動車(EV)インバータ
Applications

SiC MOSFET
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