持続可能な社会を実現するために

ロームの研究開発は、創業以来大切に守り続けている「品質第一」という企業目的を念頭に、地球環境の課題解決に貢献すべく取り組んでおります。

研究開発ではロームグループが目指す3つのエコのうち、ECO EnergyをSiCデバイスや不揮発ロジック・メモリで、またECO Lifeの安心・安全・快適を各種センサや低消費無線デバイスで実現しようとチャレンジしています。
手法も、自社での技術革新だけでなく、オープンイノベーションを意識した産学連携も継続しながら取り組んでいます。

ロームの研究開発

使用中でも、こまめに電源OFF不揮発性ロジック/メモリ

写真 - 不揮発性ロジック/メモリ

不揮発とは"忘れない"こと。電源を切ると、従来なら消えてしまう記憶内容を保持しています。 この特性を利用すると、作動中の電化製品でも、動作に関係のない不要な電源をCPUのクロック周波数にあわせてこまめにOFFでき、消費電力を大幅に削減することができます。

図 - 間欠電源供給動作

間欠電源供給動作

電化製品は電源を常にONにしなくても、動作に影響がない場合があります。CPUの処理待機中のわずかな瞬間も自動で電源をOFFします。

オン抵抗が従来の7割減SiCパワーデバイス

写真 - SiCパワーデバイス

電気を効率よく制御するパワーデバイスには現在シリコン(Si)が使用されていますが、効率よく電力を使うには限界がありました。 そこで注目されているのがシリコンカーバイド(SiC:炭化珪素)。私たちは試作時に3mm角で100A 超という、SiCで世界最小のオン抵抗を実現しています。

図 - オン抵抗を大幅に削減

オン抵抗を大幅に削減

電気が流れるところには必ずロスが存在します。従来品より、このロス(オン抵抗)を大幅に少なくすることができます。

小型・軽量化が可能SiCパワーモジュール

写真 - SiCパワーモジュール

車載や産業機器向けに、高温動作可能なSiCモジュールを開発しています。 トランスファーモールドのモジュールとしては世界初*となる225℃の高温での動作を実現したもので、現在のSiデバイスを使ったモジュールよりも小型パッケージが可能になり、SiCモジュール普及に大きく貢献する技術です。

写真 - シーテック・アワード2012を受賞した小型・高耐熱モジュール

シーテック・アワード2012を受賞した小型・高耐熱モジュール

*2016年ローム調べ

世界最速のパワースイッチング窒化ガリウムパワーMOSFET

写真 - 窒化ガリウムパワーMOSFET

身の回りに沢山ある電化製品で、電圧を変えたり、供給電力を調整したりする電源。 これを小さくするためには速く動く「パワースイッチ」が有効です。私たちは窒化ガリウムを用いて、最速で動くパワースイッチをめざし、究極に小さい電源を実現すべく開発に取り組んでいます。

写真 - オン抵抗が従来の1/10以下

オン抵抗が従来の1/10以下

高電圧駆動に強い材料物性から、耐圧構造設計を従来の1/10以下に簡略化でき、オン抵抗の大幅低減が期待できます。

小型・堅牢土壌環境センサ

写真 - 土壌環境センサ

土壌の環境状態を示す指標であるpH(酸性度)、EC(電気伝導度)、温度をワンチップでセンシングできる世界初*の半導体集積センサです。農作物育成に適した土壌環境管理が可能で、安定生産・高付加価値化に貢献できます。

*2016年ローム調べ

CEATEC AWARD 2016

CEATEC AWARD 2016

グリーンイノベーション部門・グランプリ受賞

小型で高機能なデバイスMEMSデバイス

写真 - MEMSデバイス

LSI微細加工技術と圧電薄膜技術を活用して、様々なMEMSデバイスの製造・開発を行っております。 薄膜製造技術、シリコン深堀エッチング技術等を基礎として、小型、省エネ、高機能なセンサを実現し、民生、産機、自動車等の各分野で貢献していきます。

図 - 成膜・加工技術

成膜・加工技術

圧電薄膜形成やシリコン深堀エッチング技術等を有しています。

インテリジェントセンサ感震センサモジュール

写真 - 感震センサモジュール

MEMS3軸加速度センサとマイコンで構成したインテリジェントセンサモジュールです。マイコン内に搭載した高精度SI値*算出アルゴリズムが、私たちの安全・安心を見守る技術です。

図 - SI値アルゴリズム搭載

SI値アルゴリズム搭載

計測震度との相関が高いSI値により、高精度に地震レベルを判定します。

*SI値:地震により建物がどの程度の被害が生じるかを数値化したものです。

次世代のセンシング用光デバイスフォトニック結晶レーザー

写真 - フォトニック結晶レーザー

フォトニック結晶と呼ばれる、2次元の微細な周期構造を半導体内部に埋め込んだ、面発光型の半導体レーザーです。 細いビームを生成できることは勿論、ビームの形状も、デザインによって変えることが可能です。そのデザインは、半導体に形成する技術は、最先端のナノテクノロジーです。

写真 - 細く、様々な形のビームが創れます。

細く、様々な形のビームが創れます。

物質同定などのセンシングデバイステラヘルツ波デバイス

写真 - テラヘルツ波デバイス

小型で室温動作が可能なテラヘルツ波半導体デバイスを開発しております。 高い周波数を用いることができるテラヘルツ波デバイスはテラヘルツ波センシングや無線通信の高速化等への応用が期待できます。

図 - 室温動作での発振

室温動作での発振

共鳴トンネルダイオードを用いた、室温動作の発振素子と検出素子を開発しています。

高分解能2次元X線イメージングSOI-X線イメージセンサ

写真 - SOI-X線イメージセンサ

SOI(Silicon On Insulator)基板に形成した軟X線2次元イメージセンサです。画素数1.9MPixel、画素サイズ30μm2で極低ノイズ、高分解能、広ダイナミックレンジという特長があります。(理化学研究所と共同開発)

図 - 微細な構造を高分解能で観察できます

微細な構造を高分解能で観察できます

写真提供:国立研究開発法人理化学研究所

社員紹介

開発事例紹介

世界初のSiC-DMOSの基礎技術開発と量産化などのプロジェクトストーリーをご紹介。

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社員インタビュー

開発・設計をはじめとしたローム社員の業務をご紹介。

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