ロームの研究開発に対する取り組み

ローム株式会社は1954年の創業以来、他社にはない創意工夫と、粘り強い研究を続け、抵抗器から多様な半導体製品の販売を手掛けるまでに至りました。自社の得意とする半導体技術に、新たな技術と知恵を糾合し、パワーデバイス、センサ、オプティカルデバイスといった分野での新たな事業の創出・成長を目指しております。
研究開発活動を通して、エネルギー、環境、人口、安全、食糧等の社会課題に真摯に向き合い、社会の皆様の幸せと文化の進歩向上に貢献してまいります。

ロームの歩み

図 - ロームの研究開発年表

研究開発沿革

2000年
  • 業界最高レベルの高S/N、低ジッタを実現したDVD用クロックジェネレータICを開発
  • 全く新しい概念のシステムLSIデザインテクノロジー「REAL SOCKET®」を開発
2001年
  • CD、DVDドライブ用静音ディスクドライブ技術(S!PWM×2)を開発
  • 32倍速以上の高速CD-RWを可能にした180mW高出力半導体レーザを開発
2002年
  • オプティカルデバイス研究センター開設
2003年
  • LSI計測技術センター開設
  • フラットパネルディスプレイ用LVDSインタフェースLSIを開発
2004年
  • システムLSIの開発効率を大幅に高めるプラットホーム設計環境
  • 「リアルプラットホーム」を開発
  • 300mmウエハプロセスラインによる本格量産開始
  • 130nm CMOS ICの量産開始
2005年
  • ステップフリー構造のサーマルプリントヘッドを開発。高い耐久性を実現
  • サイリスタを開発。量産開始
2006年
  • 耐圧900V、オン抵抗3.1mΩ/cm2の世界最高性能シリコンカーバイド(SiC)FETを開発
  • 世界で初めてビーム形状が制御できる半導体レーザを開発(英科学誌「Nature」に掲載)
2007年
  • 世界最小・最薄のチップLED「PICOLED®(ピコレッド)」を開発
  • 業界で初めて組み込み機器用に開発された無線LANベースバンドLSIを開発(暗号信号処理IEEE802.1Xプロトコルも内蔵)
2008年
  • 待機電力ゼロの不揮発ロジック技術を世界で初めて開発
  • バイオチップ分野に参入、血液検査チップを開発
2009年
  • 低抵抗SiCトレンチMOSFETの大容量化に世界で初めて成功
  • シームレスタイプのLEDベース照明を開発(2009年グッドデザイン賞を受賞)
  • 世界トップクラスのMEMS加速度センサ開発メーカーであるKionix, Inc.を子会社化
  • SiCウエハのサプライヤであるSiCrystal社を子会社化
2010年
  • 世界で初めて出射ビームの方向を自在に制御可能な半導体レーザを開発(英科学誌「Nature Photonics」に掲載)
  • SiCショットキーバリアダイオードの量産を開始
  • 米Intel®社 組み込みプロセッサー向けチップセット及びリファレンスボードを開発
  • モータ内蔵可能な高効率SiCモジュールを開発
  • 世界で初めてSiC-DMOSFETの量産開始
2012年
  • "フルSiC"パワーモジュールを量産開始
  • 業界最高の低暗電流6μA(従来比80%減)を実現した車載用LDOレギュレータを開発
  • 世界最小のトランジスタパッケージ「VML0806」を量産開始
  • 世界最小の「0402サイズ」ツェナーダイオードを開発
  • ロームがエネルギーハーベスト技術を利用した次世代無線通信規格推進団体
  • 「EnOcean Alliance(エンオーシャンアライアンス)」のプロモーターに就任
  • 業界初ショットキーダイオードレスのSiC-MOSモジュールの量産開始
2013年
  • 米Intel®社のタブレット向け次世代Atomプロセッサ「Bay Trail」を最適にサポートする低消費電力パワーマネジメントICを共同開発
  • MOSFETとIGBTの良特性を兼ね備えた新型トランジスタ「Hybrid MOS」を開発
  • 全く新しい工法を用いた微細化の限界を超えた世界最小部品「RASMID(ラスミッド)®シリーズ」量産開始
  • 業界初のPFC制御機能を搭載した高効率AC/DCコンバータICを開発
2014年
  • 業界初、高精度な薄膜圧電素子を提供するMEMSファウンドリビジネスを開始
  • 業界初 スマートコミュニティ構築に最適な「Wi-SUN」対応の汎用無線通信モジュールを開発
  • 車載、産機向けの電流検出に最適な高電力・超低抵抗シャント抵抗器を開発
  • 世界最小トランジスタ「VML0604」を開発。従来商品に比べ50%減の小型化を実現