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4V駆動タイプ Nch+SBD MOSFET - US5U2

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード(SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
US5U2TR 供給中 TUMT5 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード SOT-353T
JEITAパッケージ SC-113CA
パッケージサイズ[mm] 2.0x2.1(t=0.85Max.)
端子数 5
極性 Nch+Schottky
VDSS[V] 30
ID[A] 1.4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 0.27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.25
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.27
Qg[nC] 1.4
損失[W] 0.7
駆動電圧 [V] 4.0
逆方向電圧 (Diode)[V] 20.0
順方向電流 (Diode)[A] 0.5
サージ順方向電流 (Diode)[A] 2.0
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・ショットキーダイオード内蔵ミドルパワーMOSFET
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
技術資料
SPICEモデル

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熱計算モデル

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包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors