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新規設計に非推奨

NPN 低VCE(sat) トランジスタ + ショットキーダイオード - US5L10

 
推奨製品
N/A
サポートリンク:
 
 
特性:
形名 US5L10TR
供給状況 新規設計に非推奨
パッケージ TUMT5
包装数量 3000
最小個装数量 3000
包装形態 テーピング
構成物質一覧 お問合わせください
RoHS Yes
グレード Standard
パッケージコード SOT-353T
JEITAパッケージ SC-113CA
パッケージサイズ[mm] 2.0x2.1(t=0.85Max.)
端子数 5
極性 NPN+Di
コレクタ電圧1[V] 12.0
コレクタ電流1[A] 1.5
コレクタ損失[W] 0.4
hFE 270 to 680
hFE (Min.) 270
hFE (Max.) 680
hFE (Diode) 25
逆方向電圧 (Diode)[V] 20.0
順方向電流 (Diode)[A] 0.7
サージ順方向電流 (Diode)[A] 3.0
実装方式 Surface mount
単品相当 (多chのみ) 2SD2652 / RB461F
保存温度範囲(Min.)[°C] -40
保存温度範囲(Max.)[°C] 125
端子配置図:
Pin Configration
 
 
技術資料
SPICEモデル

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熱計算モデル

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半田付け条件

面実装タイプ

包装仕様

For Transistors

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

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