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NPN 低VCE(sat) トランジスタ + ショットキーダイオード - US5L10

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
US5L10TR 供給中 TUMT5 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード SOT-353T
JEITAパッケージ SC-113CA
パッケージサイズ[mm] 2.0x2.1(t=0.85Max.)
端子数 5
極性 NPN+Di
コレクタ電圧1[V] 12.0
コレクタ電流1[A] 1.5
コレクタ損失[W] 0.4
hFE 270 to 680
hFE (Min.) 270
hFE (Max.) 680
hFE (Diode) 25
逆方向電圧 (Diode)[V] 20.0
順方向電流 (Diode)[A] 0.7
サージ順方向電流 (Diode)[A] 3.0
実装方式 Surface mount
単品相当 (多chのみ) 2SD2652 / RB461F
保存温度範囲(Min.)[°C] -40
保存温度範囲(Max.)[°C] 125
特長:
  • ・小型パワー複合バイポーラトランジスタ
    ・DC-DCコンバータ用
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
端子配置図:
Pin Configration
 
 
技術資料
SPICEモデル

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熱計算モデル

US5L10の熱計算モデルをダウンロード

包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors