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1.5V駆動タイプ Pch+SBD MOSFET - TT8U1

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード(SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
TT8U1TR 供給中 TSST8 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TSST8
パッケージサイズ[mm] 3.0x1.9(t=0.8)
推奨セット Power Supply
端子数 8
極性 Pch+Schottky
ドレインソース間電圧 VDSS [V] -20
ドレイン電流 (直流) ID [A] -2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.) 0.18
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.) 0.105
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.18
ゲート総電荷量 Qg [nC] 6.7
許容損失 PD [W] 1.0
駆動電圧 [V] -1.5
逆方向電圧 (Diode)[V] 20.0
順方向電流 (Diode)[A] 1.0
サージ順方向電流 (Diode)[A] 3.0
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・ショットキーダイオード内蔵ミドルパワーMOSFET
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
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技術資料
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熱計算モデル

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形名の構成

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