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4V駆動タイプ Nch+Nch MOSFET - TT8K11電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。 |
特性:
グレード | Standard |
パッケージコード | TSST8 |
パッケージサイズ[mm] | 3.0x1.9(t=0.8) |
推奨セット | Switching |
端子数 | 8 |
極性 | Nch+Nch |
ドレインソース間電圧 VDSS [V] | 30 |
ドレイン電流 (直流) ID [A] | 3.0 |
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) | 0.078 |
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) | 0.067 |
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) | 0.051 |
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.078 |
ゲート総電荷量 Qg [nC] | 2.5 |
許容損失 PD [W] | 1.25 |
駆動電圧 [V] | 4.0 |
実装方式 | Surface mount |
保存温度範囲(Min.)[°C] | -55 |
保存温度範囲(Max.)[°C] | 150 |
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