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-30V Pch+Pch Power MOSFET - SH8J66

電界効果トランジスタのMOSFET。Pch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
SH8J66TB1 供給中 SOP8 2500 2500 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード SOP8
パッケージサイズ[mm] 5.0x6.0(t=1.75)
推奨セット Power Supply
端子数 8
極性 Pch+Pch
ドレインソース間電圧 VDSS [V] -30
ドレイン電流 (直流) ID [A] 9.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.0175
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.0135
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.019
ゲート総電荷量 Qg [nC] 35.0
許容損失 PD [W] 2.0
駆動電圧 [V] -4.0
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・4V駆動タイプ
    ・Pch+Pch ミドルパワーMOSFET
    ・高速スイッチング
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
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技術資料
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熱計算モデル

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保管条件

For Transistors

包装仕様

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半田付け条件

面実装タイプ

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

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形名の構成

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