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N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT3120AL

SCT3120ALは650V 21AのNch SiCパワーMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
SCT3120ALGC11 供給中 TO-247N 450 30 チューブ Yes
 
特性:
VDS [V] 650
オン抵抗 (typ.)[mΩ] 120
ID [A] 21.0
PD [W] 103
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 175
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 175
特長:
  • ・ 低オン抵抗
    ・ 高速スイッチングスピード
    ・ 高速リカバリー
    ・ 並列使用が容易
    ・ 駆動回路が簡単
    ・ Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
 
 
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新商品情報
 
 
技術資料
SPICE Simulation Evaluation Circuit

SPICEモデルを使用した素子評価用の回路データ

SPICEモデル

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熱計算モデル

SCT3120ALの熱計算モデルをダウンロード

SiC パワーデバイス・モジュール

アプリケーションノート

形名の構成

For SiC MOSFET