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Nch シリコンカーバイド (SiC) パワーMOSFET - SCT2H12NY (新製品)

SCT2H12NYは1700V 4AのNch SiCパワーMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
SCT2H12NYTB 供給中 TO-268-2L 800 800 テーピング Yes
 
特性:
VDS [V] 1700
オン抵抗 (typ.)[mΩ] 1150
ID [A] 4.0
PD [W] 44
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 175
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 175
特長:
    • Low on-resistance
    • Fast switching speed
    • Long creepage distance with no center lead
    • Simple to drive
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
 
 
 
ロームはいかなる時も仕様を変更する権利を有します。
 
技術資料
SiC パワーデバイス・モジュール

アプリケーションノート

形名の構成

For SiC MOSFET