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SiC MOSFET - SCT2160KE

SiCによるプレーナタイプMOSFETです。(SiC-SBD非同梱タイプ) 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
SCT2160KEC 供給中 TO-247 360 30 チューブ Yes
 
特性:
VDS [V] 1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ] 160
ID [A] 22.0
PD [W] 165
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 175
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 175
特長:
  • ・ 低オン抵抗
    ・ 高速スイッチングスピード
    ・ 高速リカバリー
    ・ 並列使用が容易
    ・ 駆動回路が簡単
    ・ Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
 
 
端子配置図:
Pin Configration
 
 
 
 
技術資料
SPICE Simulation Evaluation Circuit

SPICEモデルを使用した素子評価用の回路データ

SPICEモデル

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熱計算モデル

SCT2160KEの熱計算モデルをダウンロード

SiC パワーデバイス・モジュール

アプリケーションノート

形名の構成

For SiC MOSFET