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SiC MOSFET - SCT2080KE

SiCによるプレーナタイプMOSFETです。(SiC-SBD非同梱タイプ) 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
SiCパワーデバイスのアプリケーションノートはこちら ApplicationNote

形名 供給状況 パッケージ 包装数量 最小個装数量 包装形態 構成物質一覧 RoHS
SCT2080KEC 供給中 TO-247 360 30 チューブ お問合わせください Yes
 
特性:
VDS [V] 1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ] 80
ID [A] 40
PD [W] 262
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 175
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 175
特長:
  • ・低オン抵抗
    ・高速スイッチング・低スイッチングロス
    ・低Qrr, trr ・高信頼性 寄生ダイオード
    ・並列使用が容易
    ・駆動回路が簡単
    ・Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
 
 
アプリケーション:
  • N/A
端子配置図:
Pin Configration
 
 
 
 
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