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SiC MOSFET - SCT2080KE

SiCによるプレーナタイプMOSFETです。(SiC-SBD非同梱タイプ) 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
SiCパワーデバイスのアプリケーションノートはこちら ApplicationNote

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SCT2080KEC 供給中 Datasheet TO-247 360 30 チューブ お問合わせください Yes 在庫確認
技術資料
形名の構成

 For SiC MOSFET

形名の構成

 For SiC Schottky Barrier Diodes

NE ハンドブックシリーズ

 パワー半導体

アプリケーションノート

 SiC パワーデバイス・モジュール

特性:   特長:   端子配置図:
VDS [V] 1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ] 80
ID [A] 40
PD [W] 262
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 175
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 175
  • ・低オン抵抗
    ・高速スイッチング・低スイッチングロス
    ・低Qrr, trr ・高信頼性 寄生ダイオード
    ・並列使用が容易
    ・駆動回路が簡単
    ・Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
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