Home SiCパワーデバイス SiC MOSFET SCT2080KE

SiC MOSFET - SCT2080KE (新製品 *)

SiCによるプレーナタイプMOSFETです。(SiC-SBD非同梱タイプ) 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
SiCパワーデバイスのアプリケーションノートはこちら ApplicationNote

形名 供給状況 データシート パッケージ 包装数量 最小個装数量 包装形態 構成物質一覧 RoHS ネット商社在庫
SCT2080KEC 供給中 Datasheet TO247 チューブ お問い合わせください Yes 購入
技術資料
アプリケーションノート

 SiC パワーデバイス・モジュール

NE ハンドブックシリーズ

 パワー半導体

形名の構成

 For SiC MOSFET

形名の構成

 For SiC Schottky Barrier Diodes

特性:   特長:   端子配置図:
VDS [V] 1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ] 80
ID [A] 40
PD [W] 262
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 175
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 175
  • ・低オン抵抗
    ・高速スイッチング・低スイッチングロス
    ・低Qrr, trr ・高信頼性 寄生ダイオード
    ・並列使用が容易
    ・駆動回路が簡単
    ・Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
Pin Configration
アプリケーション: サポートリンク:
  • N/A
最近のクリック:
閲覧した製品 セールス
関連する新製品 / 更新製品SiC Power Devices
1. 個別半導体 - SiCパワーデバイス - SiC パワーモジュール - SiC パワーモジュール データシート
* ロームはいかなる時も仕様を変更する権利を有します。