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N-channel Silicon Carbide power MOSFETbare die - S4102 (新製品)

S4102はSiC(シリコンカーバイド)によるパワーMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
S4102 供給中 Yes
 
特性:
VDS [V] 1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ] 30
ID [A] 72.0
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 175
保存温度範囲 (Min.)[°C] -55
保存温度範囲 (Max.)[°C] 175
特長:
    • Low on-resistance
    • Fast switching speed
    • Fast reverse recovery
    • Easy to parallel
    • Simple to drive
 
 
 
ロームはいかなる時も仕様を変更する権利を有します。
 
技術資料
SPICEモデル

S4102のSPICEモデルをダウンロード

SiC パワーデバイス・モジュール

アプリケーションノート

形名の構成

For SiC MOSFET Bare Die