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N-channel SiC Power MOSFET Bare Die - S4001

S4001 is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.
For sale of Bare Die, please contact the specifications in our sales office. Currently, we don't sell Bare Die on the internet distributors now.

良くあるご質問 
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
S4001 供給中 Yes
 
特性:
VDS [V] 650
オン抵抗 (typ.)[mΩ] 30
ID [A] 70.0
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 175
保存温度範囲 (Min.)[°C] -55
保存温度範囲 (Max.)[°C] 175
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特長:
  • · 低オン抵抗
    · 高速スイッチングスピード
    · 高速リカバリー
    · 並列使用が容易
    · 駆動回路が簡単
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技術資料
SPICEモデル

S4001のSPICEモデルをダウンロード

SiC パワーデバイス・モジュール

アプリケーションノート

NE ハンドブックシリーズ

パワー半導体

形名の構成

For SiC MOSFET Bare Die