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N-channel SiC パワーMOSFET Bare die - S2301

S2301はSiCによるプレーナタイプMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
S2301 供給中 Yes
 
特性:
VDS [V] 1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ] 80
ID [A] 40.0
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 175
保存温度範囲 (Min.)[°C] -55
保存温度範囲 (Max.)[°C] 175
特長:
  • · 低オン抵抗
    · 高速スイッチングスピード
    · 高速リカバリー
    · 並列使用が容易
    · 駆動回路が簡単
 
 
 
 
技術資料
SPICEモデル

S2301のSPICEモデルをダウンロード

SiC パワーデバイス・モジュール

アプリケーションノート

形名の構成

For SiC MOSFET Bare Die