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1.2V駆動タイプ Pch MOSFET - RU1C002ZP

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RU1C002ZPTCL 供給中 UMT3F 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード SOT-323FL
JEITAパッケージ SC-85
パッケージサイズ[mm] 2.0x2.1(t=0.9)
端子数 3
極性 Pch
ドレインソース間電流 VDSS [V] -20
ドレイン電流 (直流) ID [A] -0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.) 2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.) 1.6
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.) 1.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 2.4
ゲート総電荷量 Qg [nC] 1.4
許容損失 PD [W] 0.15
駆動電圧 [V] -1.2
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・低電圧1.2V駆動タイプ
    ・Pチャンネル 小信号MOSFET
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
 
 
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技術資料
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熱計算モデル

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使用上の注意

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半田付け条件

面実装タイプ

包装仕様

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保管条件

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形名の構成

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