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1.5V駆動タイプ Pch MOSFET - RT1A060AP

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RT1A060APTR 供給中 TSST8 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TSST8
パッケージサイズ[mm] 3.0x1.9(t=0.8)
推奨セット Switching
端子数 8
極性 Pch
ドレインソース間電圧 VDSS [V] -12
ドレイン電流 (直流) ID [A] -6.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.) 0.027
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.) 0.017
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.014
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.027
ゲート総電荷量 Qg [nC] 80.0
許容損失 PD [W] 1.25
駆動電圧 [V] -1.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・低電圧1.5V駆動タイプ
    ・Pチャンネル 小信号MOSFET
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
 
 
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技術資料
SPICEモデル

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保管条件

For Transistors

包装仕様

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半田付け条件

面実装タイプ

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

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