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4V駆動タイプ Nch MOSFET - RSJ650N10

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RSJ650N10TL 供給中 LPTS(D2PAK) 1000 1000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TO-263(D2PAK)
JEITAパッケージ SC-83
パッケージサイズ[mm] 10.1x13.1(t=4.5)
端子数 3
極性 Nch
VDSS[V] 100
ID[A] 65.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 0.0070
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.0065
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0070
Qg[nC] 260.0
損失[W] 100.0
駆動電圧 [V] 4.0
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・4V駆動タイプ
    ・Nチャンネル パワーMOSFET
    ・高速スイッチング
    ・駆動回路が簡単
    ・並列使用が容易
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
技術資料
SPICEモデル

RSJ650N10のSPICEモデルをダウンロード

熱計算モデル

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包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors