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Nch 40V 57A Power MOSFET - RS1G180MN電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
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| * 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。 | ||||
特性:
| グレード | Standard |
| パッケージコード | HSOP8S(5x6) |
| パッケージサイズ[mm] | 5.0x6.0(t=1.0) |
| 推奨セット | Switching |
| 端子数 | 8 |
| 極性 | Nch |
| ドレインソース間電圧 VDSS [V] | 40 |
| ドレイン電流 (直流) ID [A] | 57.0 |
| RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) | 0.0067 |
| RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) | 0.0050 |
| RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.0067 |
| ゲート総電荷量 Qg [nC] | 9.5 |
| 許容損失 PD [W] | 30.0 |
| 駆動電圧 [V] | 4.5 |
| 実装方式 | Surface mount |
| 保存温度範囲(Min.)[°C] | -55 |
| 保存温度範囲(Max.)[°C] | 150 |
アプリケーション:
端子配置図:
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