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4.5V駆動タイプ Nch MOSFET - RS1E200GN

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RS1E200GNTB 供給中 HSOP8(Single) 2500 2500 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード HSOP8S(5x6)
パッケージサイズ[mm] 5.0x6.0(t=1.0)
推奨セット Power Supply
端子数 8
極性 Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V] 30
ドレイン電流 (直流) ID [A] 57.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.0047
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.0036
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0047
ゲート総電荷量 Qg [nC] 7.8
許容損失 PD [W] 25.0
駆動電圧 [V] 4.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
    • 低オン抵抗
    • ハイパワーパッケージ (HSOP8)
    • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
    • ハロゲンフリー
    • 100% Rg 及びアバランシェ耐量試験済
 
 
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形名 製品名 パッケージ データシート ネット商社在庫
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新商品情報
 
 
技術資料
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熱計算モデル

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保管条件

For Transistors

包装仕様

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使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

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形名の構成

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