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Nch 30V 20A Middle Power MOSFET - RS1E200BN

RS1E200BNは小型ハイパワーパッケージのスイッチング用途に適したミドルパワーMOSFETです。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RS1E200BNTB 供給中 HSOP8(Single) 2500 2500 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード HSOP8S(5x6)
パッケージサイズ[mm] 5.0x6.0(t=1.0)
端子数 8
極性 Nch
VDSS[V] 30
ID[A] 80.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.0038
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0038
Qg[nC] 29.0
損失[W] 25.0
駆動電圧 [V] 4.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • · 低オン抵抗
    · 小型ハイパワーパッケージ(HSOP8)で省スペース
    · 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
    · ハロゲンフリー
 
 
アプリケーション:
端子配置図:
Pin Configration
 
 
技術資料
SPICEモデル

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熱計算モデル

RS1E200BNの熱計算モデルをダウンロード

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包装仕様

For Transistors

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors