Downloading...
 
product-image
 

Nch 30V 12A Middle Power MOSFET - RQ3E120BN

ハイパワーパッケージ(HSMT8)のRQ3E120BNは低オン抵抗でスイッチング用途に最適です。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RQ3E120BNTB 供給中 HSMT8 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード HSMT8(3.3x3.3)
パッケージサイズ[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
端子数 8
極性 Nch
VDSS[V] 30
ID[A] 12.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.0086
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.0066
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0086
Qg[nC] 14.0
損失[W] 2.0
駆動電圧 [V] 4.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
    • 低オン抵抗
    • ハイパワーパッケージ(HSMT8)
    • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
    • ハロゲンフリー
 
 
アプリケーション:
端子配置図:
Pin Configration
 
 
技術資料
SPICEモデル

RQ3E120BNのSPICEモデルをダウンロード

熱計算モデル

RQ3E120BNの熱計算モデルをダウンロード

おすすめ!新商品

30V耐圧 ミドルパワーMOSFETのおすすめ情報です。

包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors