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Pch -30V -39A パワーMOSFET - RQ3E120AT

RQ3E120ATは小型ハイパワーパッケージのスイッチング用途に適したミドルパワーMOSFETです。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RQ3E120ATTB 供給中 HSMT8 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード HSMT8(3.3x3.3)
パッケージサイズ[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
推奨セット Switching
端子数 8
極性 Pch
ドレインソース間電流 VDSS [V] -30
ドレイン電流 (直流) ID [A] -39.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.0087
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.0061
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0087
ゲート総電荷量 Qg [nC] 33.0
許容損失 PD [W] 20.0
駆動電圧 [V] -4.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • · 低オン抵抗
    · 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8)で省スペース
    · 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
    · ハロゲンフリー
 
 
端子配置図:
Pin Configration
 
 
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半田付け条件

面実装タイプ

包装仕様

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保管条件

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形名の構成

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