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Nch 30V 24A パワーMOSFET - RQ3E110AJ

RQ3E110AJは小型面実装パッケージで低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RQ3E110AJTB 供給中 HSMT8 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード HSMT8(3.3x3.3)
パッケージサイズ[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
推奨セット Power Supply
端子数 8
極性 Nch
ドレインソース間電流 VDSS [V] 30
ドレイン電流 (直流) ID [A] 24.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.) 0.0126
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.0088
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0126
ゲート総電荷量 Qg [nC] 13.5
許容損失 PD [W] 15.0
駆動電圧 [V] 2.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
    • 低オン抵抗
    • 小型面実装パッケージで省スペース (HSMT8)
    • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
 
 
端子配置図:
Pin Configration
 
 
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形名 製品名 パッケージ データシート ネット商社在庫
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新商品情報
 
 
技術資料
半田付け条件

面実装タイプ

包装仕様

For Transistors

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors