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Nch 30V 15A パワーMOSFET - RQ3E080BN

RQ3E080BNはハイパワーパッケージ(HSMT8)のミドルパワーMOSFETです。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RQ3E080BNTB 供給中 HSMT8 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード HSMT8(3.3x3.3)
パッケージサイズ[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
推奨セット Switching, Motor
端子数 8
極性 Nch
ドレインソース間電流 VDSS [V] 30
ドレイン電流 (直流) ID [A] 15.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.016
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.011
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.016
ゲート総電荷量 Qg [nC] 7.2
許容損失 PD [W] 14.0
駆動電圧 [V] 4.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
    • 低オン抵抗
    • ハイパワーパッケージ(HSMT8)
    • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
    • ハロゲンフリー
 
 
アプリケーション:
端子配置図:
Pin Configration
 
 
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形名 製品名 パッケージ データシート ネット商社在庫
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新商品情報
 
 
技術資料
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熱計算モデル

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包装仕様

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保管条件

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