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Nch 30V 10A 小信号MOSFET - RQ1E100XN

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RQ1E100XNTR 供給中 TSMT8 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TSMT8
パッケージサイズ[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
端子数 8
極性 Nch
VDSS[V] 30
ID[A] 10.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 0.01
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.0095
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.0075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.01
Qg[nC] 12.7
損失[W] 1.5
駆動電圧 [V] 4.0
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・4V駆動タイプ
    ・Nチャンネル ミドルパワーMOSFET
    ・高速スイッチング
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
技術資料
SPICEモデル

RQ1E100XNのSPICEモデルをダウンロード

熱計算モデル

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包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors