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4V駆動タイプ Nch MOSFET - RQ1E075XN

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RQ1E075XNTCR 供給中 TSMT8 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TSMT8
パッケージサイズ[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
推奨セット Switching
端子数 8
極性 Nch
ドレインソース間電流 VDSS [V] 30
ドレイン電流 (直流) ID [A] 7.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.017
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.019
ゲート総電荷量 Qg [nC] 6.8
許容損失 PD [W] 1.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・4V駆動タイプ
    ・Nチャンネル ミドルパワーMOSFET
    ・高速スイッチング
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
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新商品情報
 
 
技術資料
SPICEモデル

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熱計算モデル

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半田付け条件

面実装タイプ

包装仕様

For Transistors

保管条件

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使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

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