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660/780nm 2波長 半導体レーザ - RLD2WMNL2-01x

RLD2WMNL2-01は660/780nmの2波長低出力シングルモード半導体レーザです。センサやDVDプレーヤ等の用途に最適です。

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RoHS
RLD2WMNL2-01 供給中 φ5.6mm 500 500 Yes
 
特性:
アプリケーション Sensors, DVD player
Wave-length λ(Min.)[nm] 658/770
Wave-length λ(Typ.)[nm] 663/785
Wave-length λ(Max.)[nm] 668/810
Optical Output Po(Max.)[mW] 7/7
LD Reverse Voltage(Max.)[V] 2/2
PinPD Reverse Voltage(Max.)[V] 30/30
Threshold Current Ith(Typ.)[mA] 18/15
Threshold Current Ith(Max.)[mA] 35/35
Operating Current Iop(Typ.)[mA] 24/20
Operating Current Iop(Max.)[mA] 55/55
Operating Voltage Vop(Typ.)[V] 2.3/1.8
Operating Voltage Vop(Max.)[V] 2.8/2.3
Output Efficiency η(Min.)[W/A] 0.4/0.5
Output Efficiency η(Typ.)[W/A] 0.7/0.7
Output Efficiency η(Max.)[W/A] 1.0/1.2
極性 M(LD Cathode / PD Cathode)
動作温度範囲(Min.)[°C] -30
動作温度範囲(Max.)[°C] 80
特長:
    • 光出力: CW7mW(650nm) / CW7mW(780nm)
    • シングルモード
    • 高精度φ5.6金属ステム採用
 
 
技術資料
使用上の注意

For Laser Diodes

製品の特長

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基本特性について

For Laser Diodes

記号と定義について

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