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Nch 40V 120A Power MOSFET - RJ1G12BGN (新製品)

RJ1G12BGNは低オン抵抗のPower MOSFETです。スイッチングのアプリケーションに最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RJ1G12BGNTLL 供給中 LPT(L) 1000 1000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TO-263AB
パッケージサイズ[mm] 10.1x15.1(t=4.7)
端子数 3
極性 Nch
ドレインソース間電流 VDSS [V] 40
ドレイン電流 (直流) ID [A] 120.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.00154
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.00138
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.00154
ゲート総電荷量 Qg [nC] 82.0
許容損失 PD [W] 178.0
駆動電圧 [V] 4.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
    • 低オン抵抗
    • ハイパワーパッケージ(LPTL)
    • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
    • 100% アバランシェ耐量試験済
 
 
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新商品情報
 
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包装仕様

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保管条件

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形名の構成

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